TPH1R712MD,L1Q
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| Teilenummer | TPH1R712MD,L1Q |
| PNEDA Teilenummer | TPH1R712MD-L1Q |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.610 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 26 - Mai 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TPH1R712MD Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPH1R712MD,L1Q |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TPH1R712MD Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVI |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 30A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 182nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10900pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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