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FDMS8558S

FDMS8558S FDMS8558S

Nur als Referenz

Teilenummer FDMS8558S
PNEDA Teilenummer FDMS8558S
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.546
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 5 - Mär 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FDMS8558S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMS8558S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDMS8558S, FDMS8558S Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 438,37 KB)
PDFFDMS8558S Datenblatt Cover
FDMS8558S Datenblatt Seite 2 FDMS8558S Datenblatt Seite 3 FDMS8558S Datenblatt Seite 4 FDMS8558S Datenblatt Seite 5 FDMS8558S Datenblatt Seite 6 FDMS8558S Datenblatt Seite 7 FDMS8558S Datenblatt Seite 8 FDMS8558S Datenblatt Seite 9

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FDMS8558S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®, SyncFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.33A (Ta), 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs81nC @ 10V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5118pF @ 13V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-PQFN (5x6)
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRLR4343TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

79W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

GP2M004A065FG

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

642pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

32.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.04Ohm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Paket / Fall

ISOPLUS247™

TSM3404CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400.96pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

750mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IXTP1N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

W25Q80DVSNIG

W25Q80DVSNIG

Winbond Electronics

IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC

USBLC6-2SC6

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STMicroelectronics

TVS DIODE 5.25V 17V SOT23-6

MAX253CSA+T

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Maxim Integrated

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BAS40-04-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23-3

PS22056

PS22056

Powerex Inc.

MOD IPM 1200V 25A DIP

MAX6675ISA+T

MAX6675ISA+T

Maxim Integrated

IC THERMOCOUP TO DGTL 8-SOIC

PIC16F876-20/SO

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28SOIC

PC28F00BM29EWHA

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

MT46V32M16P-5B IT:J

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Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

SP0503BAHTG

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Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V SOT143-4

M2GL005-TQ144I

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Microsemi

IC FPGA 84 I/O 144TQFP

BC807-16LT1G

BC807-16LT1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23