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AUIRFZ48N

AUIRFZ48N

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRFZ48N
PNEDA Teilenummer AUIRFZ48N
Beschreibung MOSFET N CH 55V 69A TO-220AB
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.742
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 3 - Feb 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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AUIRFZ48N Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRFZ48N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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AUIRFZ48N Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.69A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)160W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

156W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SQ7414AEN-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

980pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

560V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

N0301P-T1-AT

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 21.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Lieferantengerätepaket

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