Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIR770DP-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIR770DP-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 59.930
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 19 - Jun 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIR770DP-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIR770DP-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIR770DP-T1-GE3, SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 342,23 KB)
PDFSIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SIR770DP-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SIR770DP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIR770DP-T1-GE3
  • SIR770DP-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SIR770DP-T1-GE3 Stock

  • SIR770DP-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SIR770DP-T1-GE3
  • SIR770DP-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIR770DP-T1-GE3 Price
  • SIR770DP-T1-GE3 Distributor

SIR770DP-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 15V
Leistung - max17.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SO-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SO-8 Dual

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

CAS325M12HM2

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-REC™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

444A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 400A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 105mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1127nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

3000W

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

TC2320TG-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 25V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ALD1102BPAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

17-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS-DIL™

US6M2GTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A, 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V, 150pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

TUMT6

Kürzlich verkauft

STPS0520Z

STPS0520Z

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123

IRLML2402TRPBF

IRLML2402TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23

24LC32A-I/ST

24LC32A-I/ST

Microchip Technology

IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8TSSOP

MCP73833-FCI/UN

MCP73833-FCI/UN

Microchip Technology

IC LI-ION/LI-POLY CTRLR 10MSOP

T491X227K016AT

T491X227K016AT

KEMET

CAP TANT 220UF 10% 16V 2917

MAX97220AETE+

MAX97220AETE+

Maxim Integrated

IC AMP AUD.13W STER AB 16TQFN

T521X336M050ATE075

T521X336M050ATE075

KEMET

CAP TANTALUM 33UF 50V 2917

AD822AN

AD822AN

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP

TOP227YN

TOP227YN

Power Integrations

IC OFFLINE SWIT PWM OCP HV TO220

DS2781E+T&R

DS2781E+T&R

Maxim Integrated

IC FUEL GAUGE BATT 8TSSOP

MCP4921T-E/SN

MCP4921T-E/SN

Microchip Technology

IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC

BC807-16,215

BC807-16,215

Nexperia

TRANS PNP 45V 0.5A SOT23