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SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIR770DP-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIR770DP-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Hersteller Vishay Siliconix
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SIR770DP-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIR770DP-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIR770DP-T1-GE3, SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 342,23 KB)
PDFSIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SIR770DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SIR770DP-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 15V
Leistung - max17.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SO-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SO-8 Dual

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

485mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

17-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS-DIL™

APTM10DSKM19T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V

Leistung - max

208W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

EFC2K102NUZTDG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

33A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 3.8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

3.1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

10-WLCSP (2.98x1.49)

AON6922

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A, 31A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 12.5V

Leistung - max

2W, 2.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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