US6M2GTR
Nur als Referenz
| Teilenummer | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 73 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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US6M2GTR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | US6M2GTR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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US6M2GTR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.5A, 1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V, 150pF @ 10V |
| Leistung - max | 1W |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | TUMT6 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 25V Leistung - max 150mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ II FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 16V Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 1000V Leistung - max 250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 180mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 115mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 315pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
