ALD1102BPAL
Nur als Referenz
| Teilenummer | ALD1102BPAL |
| PNEDA Teilenummer | ALD1102BPAL |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.964 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ALD1102BPAL Ressourcen
| Marke | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ALD1102BPAL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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ALD1102BPAL Technische Daten
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270Ohm @ 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 5V |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDIP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3450pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2450pF @ 6V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket TSMT8 |
