FDMB3900N
Nur als Referenz
| Teilenummer | FDMB3900N | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FDMB3900N | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | INTEGRATED CIRCUIT | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 3.958 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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FDMB3900N Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMB3900N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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FDMB3900N Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | - |
| FET-Funktion | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 15V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.17A Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 840mW Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 536pF @ 10V Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2360pF @ 6V Leistung - max 2.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket X3-DSN2718-6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V Leistung - max 2.7W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DirectFET™ Isometric MA Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MA |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 12.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2788pF @ 1000V Leistung - max 375W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP3 |
