Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RJP60D0DPM-00#T1

RJP60D0DPM-00#T1

Nur als Referenz

Teilenummer RJP60D0DPM-00#T1
PNEDA Teilenummer RJP60D0DPM-00-T1
Beschreibung IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.238
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 27 - Mai 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RJP60D0DPM-00#T1 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJP60D0DPM-00#T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJP60D0DPM-00#T1, RJP60D0DPM-00#T1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 75,67 KB)
PDFRJP60D0DPM-00#T1 Datenblatt Cover
RJP60D0DPM-00#T1 Datenblatt Seite 2 RJP60D0DPM-00#T1 Datenblatt Seite 3 RJP60D0DPM-00#T1 Datenblatt Seite 4 RJP60D0DPM-00#T1 Datenblatt Seite 5 RJP60D0DPM-00#T1 Datenblatt Seite 6 RJP60D0DPM-00#T1 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RJP60D0DPM-00#T1 Datasheet
  • where to find RJP60D0DPM-00#T1
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America RJP60D0DPM-00#T1
  • RJP60D0DPM-00#T1 PDF Datasheet
  • RJP60D0DPM-00#T1 Stock

  • RJP60D0DPM-00#T1 Pinout
  • Datasheet RJP60D0DPM-00#T1
  • RJP60D0DPM-00#T1 Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • RJP60D0DPM-00#T1 Price
  • RJP60D0DPM-00#T1 Distributor

RJP60D0DPM-00#T1 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)45A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 22A
Leistung - max40W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge45nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.35ns/90ns
Testbedingung300V, 22A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3PFM, SC-93-3
LieferantengerätepaketTO-3PFM

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 32A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

2.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

89nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/260ns

Testbedingung

720V, 32A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IXBT42N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.32µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

FGD3325G2-F085V

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

800ns/5.1µs

Testbedingung

5V, 1kOhm

Reverse Recovery Time (trr)

1.2µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

IRGP4066-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

2.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRG8P45N65UD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Kürzlich verkauft

UVR1E101MED1TA

UVR1E101MED1TA

Nichicon

CAP ALUM 100UF 20% 25V RADIAL

3296W-1-203LF

3296W-1-203LF

Bourns

TRIMMER 20K OHM 0.5W PC PIN TOP

SMBJ30CA-13-F

SMBJ30CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 30V 48.4V SMB

STPS40L40CT

STPS40L40CT

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB

MMBZ5V6ALT1G

MMBZ5V6ALT1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 3V 8V SOT23-3

PIC18F2221-I/SO

PIC18F2221-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 28SOIC

KSZ8081RNBIA-TR

KSZ8081RNBIA-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 32QFN

CK45-R3AD222K-NRA

CK45-R3AD222K-NRA

TDK

CAP CER 2200PF 1KV RADIAL

MAX491ESD+T

MAX491ESD+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

TOP222PN

TOP222PN

Power Integrations

IC OFFLINE SWIT PWM OCP HV 8DIP

MMSD4148T1G

MMSD4148T1G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

DS2401P+T&R

DS2401P+T&R

Maxim Integrated

IC SILICON SERIAL NUMBER 6TSOC