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IXGT32N90B2

IXGT32N90B2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT32N90B2
PNEDA Teilenummer IXGT32N90B2
Beschreibung IGBT 900V 64A 300W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.528
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGT32N90B2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT32N90B2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT32N90B2, IXGT32N90B2 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 202,06 KB)
PDFIXGT32N90B2 Datenblatt Cover
IXGT32N90B2 Datenblatt Seite 2 IXGT32N90B2 Datenblatt Seite 3 IXGT32N90B2 Datenblatt Seite 4 IXGT32N90B2 Datenblatt Seite 5 IXGT32N90B2 Datenblatt Seite 6 IXGT32N90B2 Datenblatt Seite 7

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IXGT32N90B2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)64A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 32A
Leistung - max300W
Schaltenergie2.6mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge89nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/260ns
Testbedingung720V, 32A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

4.5mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

470nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/330ns

Testbedingung

400V, 75A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

121ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

187W

Schaltenergie

1.38mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/207ns

Testbedingung

400V, 30A, 10.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

38ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

RJP60F0DPE-00#J3

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 25A

Leistung - max

122W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/70ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-83

Lieferantengerätepaket

4-LDPAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

260A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

800µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/70ns

Testbedingung

480V, 40A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

146A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

52nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

-

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