IRG8P45N65UD1PBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG8P45N65UD1PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRG8P45N65UD1PBF |
| Beschreibung | G8 650V 45A CO-PAK-247 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.698 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG8P45N65UD1PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG8P45N65UD1PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG8P45N65UD1PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | - |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 4V, 200A Leistung - max 1W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 3.1µs/2µs Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0) |
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