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MRF6S19060MR1

MRF6S19060MR1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6S19060MR1
PNEDA Teilenummer MRF6S19060MR1
Beschreibung FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.730
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF6S19060MR1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6S19060MR1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6S19060MR1, MRF6S19060MR1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 989,97 KB)
PDFMRF6S19060GNR1 Datenblatt Cover
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MRF6S19060MR1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz
Gewinn16dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest610mA
Leistung - Leistung12W
Spannung - Nennspannung68V
Paket / FallTO-270-4
LieferantengerätepaketTO-270 WB-4

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

2GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

120mA

Rauschzahl

0.45dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

18dBm

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

F4TSMM, M04

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.4GHz ~ 2.5GHz

Gewinn

15.9dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

32V

Paket / Fall

OM-780-2

Lieferantengerätepaket

OM-780-2

PTFB193408SVV1R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.65A

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-34275G-6/2

Lieferantengerätepaket

H-34275G-6/2

PTFA041501F-V4-R250

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

470MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37248-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.9GHz

Gewinn

13.3dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

320W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S

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