IXGX120N60B
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| Teilenummer | IXGX120N60B |
| PNEDA Teilenummer | IXGX120N60B |
| Beschreibung | IGBT 600V 200A 660W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.092 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGX120N60B Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGX120N60B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGX120N60B Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 120A |
| Leistung - max | 660W |
| Schaltenergie | 2.4mJ (on), 5.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 350nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 60ns/200ns |
| Testbedingung | 480V, 100A, 2.4Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 1.1mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/190ns Testbedingung 300V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 1.2A Leistung - max 2.1W Schaltenergie 30µJ (on), 13µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/80ns Testbedingung 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223-4 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 82A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 21A Leistung - max 160W Schaltenergie 1.95mJ (on), 1.71mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/100ns Testbedingung 800V, 21A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A Leistung - max 104W Schaltenergie 96µJ (on), 355µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/205ns Testbedingung 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 52W Schaltenergie 77µJ (on), 170µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/139ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PF |
