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PTFB193408SVV1R250XTMA1

PTFB193408SVV1R250XTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFB193408SVV1R250XTMA1
PNEDA Teilenummer PTFB193408SVV1R250XTMA1
Beschreibung IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2
Hersteller Infineon Technologies
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PTFB193408SVV1R250XTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFB193408SVV1R250XTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTFB193408SVV1R250XTMA1, PTFB193408SVV1R250XTMA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 563,63 KB)
PDFPTFB193408SVV1XWSA1 Datenblatt Cover
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PTFB193408SVV1R250XTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz1.99GHz
Gewinn19dB
Spannungstest30V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest2.65A
Leistung - Leistung80W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallH-34275G-6/2
LieferantengerätepaketH-34275G-6/2

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Gewinn

12dB

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4µA

Rauschzahl

-

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400mA

Leistung - Leistung

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Gewinn

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Spannungstest

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Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

130W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-30260-2

Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

29W

Spannung - Nennspannung

68V

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

2.6A

Leistung - Leistung

320W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-37275G-6/2

Lieferantengerätepaket

H-37275G-6/2

LET9045STR

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

80V

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