FF800R17KF6CB2NOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | FF800R17KF6CB2NOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FF800R17KF6CB2NOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 800A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FF800R17KF6CB2NOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FF800R17KF6CB2NOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FF800R17KF6CB2NOSA1, FF800R17KF6CB2NOSA1 Datenblatt
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FF800R17KF6CB2NOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Leistung - max | 6250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 800A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1.5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 52nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250A Leistung - max 750W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.8nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP4 |
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