VS-GT80DA120U
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| Teilenummer | VS-GT80DA120U |
| PNEDA Teilenummer | VS-GT80DA120U |
| Beschreibung | OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.204 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 2 - Mai 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-GT80DA120U Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GT80DA120U |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-GT80DA120U Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | HEXFRED® |
| IGBT-Typ | Trench |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 139A |
| Leistung - max | 658W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.55V @ 15V, 80A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 4.4nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Leistung - max 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 446W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.08V @ 15V, 75A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.45nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
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