VS-GT80DA120U Datenblatt
VS-GT80DA120U Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GT80DA120U
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® IGBT-Typ Trench Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 139A Leistung - max 658W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 80A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227 |
