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FZ2400R17HE4PB9HPSA1

FZ2400R17HE4PB9HPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FZ2400R17HE4PB9HPSA1
PNEDA Teilenummer FZ2400R17HE4PB9HPSA1
Beschreibung MODULE IGBT IHMB190-2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.560
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Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FZ2400R17HE4PB9HPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFZ2400R17HE4PB9HPSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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FZ2400R17HE4PB9HPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationSingle Switch
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2400A
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 2400A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce195nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APTGT50A120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

277W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

CM400HU-24H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

60nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GB100TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

108A

Leistung - max

390W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

DF600R12IP4DVBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CPV363M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Leistung - max

36W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 11A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.74nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Lieferantengerätepaket

IMS-2

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