BFG520/X,215
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| Teilenummer | BFG520/X,215 |
| PNEDA Teilenummer | BFG520-X-215 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.238 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFG520/X Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG520/X,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG520/X Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 9GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 20mA, 6V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-253-4, TO-253AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-143B |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB Leistung - max 87.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M115 Lieferantengerätepaket M115 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1.5GHz Gewinn 10dB @ 1.5GHz Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 0.95 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-MCP |
