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BFQ67W,115

BFQ67W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFQ67W,115
PNEDA Teilenummer BFQ67W-115
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.016
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFQ67W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFQ67W,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFQ67W, BFQ67W Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 250,41 KB)
PDFBFQ67W Datenblatt Cover
BFQ67W Datenblatt Seite 2 BFQ67W Datenblatt Seite 3 BFQ67W Datenblatt Seite 4 BFQ67W Datenblatt Seite 5 BFQ67W Datenblatt Seite 6 BFQ67W Datenblatt Seite 7 BFQ67W Datenblatt Seite 8 BFQ67W Datenblatt Seite 9 BFQ67W Datenblatt Seite 10 BFQ67W Datenblatt Seite 11

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BFQ67W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Gewinn

18.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz

Gewinn

7dB ~ 11.5dB

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 70mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

210mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT89

MRF392

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual) Common Emitter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

744A-01

Lieferantengerätepaket

744A-01, Style 1

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

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