FH105A-TR-E
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| Teilenummer | FH105A-TR-E |
| PNEDA Teilenummer | FH105A-TR-E |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.220 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FH105A-TR-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FH105A-TR-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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FH105A-TR-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.4dB @ 1.5GHz |
| Gewinn | 10dB @ 1.5GHz |
| Leistung - max | 150mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 0.95 @ 10mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | 6-MCP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6dB Leistung - max 2300W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 46A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M112 Lieferantengerätepaket M112 |
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