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2N7334

2N7334

Nur als Referenz

Teilenummer 2N7334
PNEDA Teilenummer 2N7334
Beschreibung MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.672
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2N7334 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N7334
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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2N7334 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ4 N-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall14-DIP (0.300", 7.62mm)
LieferantengerätepaketMO-036AB

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

104A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7220pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Leistung - max

17.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

CMLDM7003TG TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.76nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

QH8K51TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

325mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

Leistung - max

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TSMT8

2N7002DWKX-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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