QH8K51TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | QH8K51TR |
| PNEDA Teilenummer | QH8K51TR |
| Beschreibung | QH8K51 IS THE LOW ON - RESISTANC |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 26.208 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 23 - Jun 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
QH8K51TR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | QH8K51TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- QH8K51TR Datasheet
- where to find QH8K51TR
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor QH8K51TR
- QH8K51TR PDF Datasheet
- QH8K51TR Stock
- QH8K51TR Pinout
- Datasheet QH8K51TR
- QH8K51TR Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- QH8K51TR Price
- QH8K51TR Distributor
QH8K51TR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 325mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 25V |
| Leistung - max | 1.1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | TSMT8 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 129pF @ 15V Leistung - max 1W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-UDFN (2x2) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1605pF @ 20V Leistung - max 1.7W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-PowerQFN Lieferantengerätepaket PlnPAK |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V Leistung - max 10.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.23nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 10V Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 (1.6x1.6) |
