Vishay Semiconductor Diodes Division Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division

Datensätze 2

Seite 1/1

Bild	Teilenummer	Hersteller	Beschreibung	Auf Lager	Menge	Serie	Transistortyp	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)	Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic	Strom - Kollektorabschaltung (max.)	Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce	Leistung - max	Frequenz - Übergang	Betriebstemperatur	Montagetyp	Paket / Fall	Lieferantengerätepaket
	2N3904PH	Vishay Semiconductor Diodes Division	TRANS NPN 40V 0.2A TO-92	3.978		-	NPN	200mA	40V	300mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	625mW	300MHz	-	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92
	MPSA42PH	Vishay Semiconductor Diodes Division	TRANS NPN 300V 0.5A TO-92	3.564		-	NPN	500mA	300V	500mV @ 2mA, 20mA	100nA (ICBO)	40 @ 30mA, 10V	625mW	50MHz	-	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3

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