Transistoren

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SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A, 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Leistung - max: 3.1W, 2.6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager4.392
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A, 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Leistung - max: 3.1W, 2.6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager7.110
SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A, 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager58.914
SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A, 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager78.486
SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager4.266
SI5513DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager3.906
SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager28.212
SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager3.294
SI5515DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager2.484
SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager8.190
SI5517DU-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Leistung - max: 8.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket: PowerPAK® ChipFet Dual	Auf Lager4.104
SI5517DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Leistung - max: 8.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket: PowerPAK® ChipFet Dual	Auf Lager5.058
SI5519DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Leistung - max: 10.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket: PowerPAK® ChipFet Dual	Auf Lager7.254
SI5902BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Leistung - max: 3.12W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager4.824
SI5902BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Leistung - max: 3.12W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager73.842
SI5902DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager8.694
SI5903DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager2.790
SI5903DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager2.340
SI5904DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager6.984
SI5904DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager5.274
SI5905BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager3.960
SI5905BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager2.376
SI5905DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager3.258
SI5905DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager8.784
SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V Leistung - max: 10.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket: PowerPAK® ChipFet Dual	Auf Lager4.464
SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager143.424
SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager3.294
SI5915BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager4.068
SI5915BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 4V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager8.640
SI5915DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager5.112

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