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RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager2.592
RN2318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager5.148
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager8.190
RN2402,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager7.074
RN2402S,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager2.286
RN2402S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager3.762
RN2403,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager5.670
RN2404,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 50V TO236-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager22.674
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager8.550
RN2405,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager4.608
RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR4.7KOHM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.596
RN2409,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager2.088
RN2411,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINFINIT Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.236
RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager2.034
RN2413TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager8.820
RN2416,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt PNP BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER10KOHM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.886
RN2418,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER10KOHM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.328
RN2421(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 50V TO236-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager5.580
RN2422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager8.676
RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR0.47KOHM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.208
RN2426(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR1KOHM Q1 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.406
RN2427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager8.838
SDTA114YET1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75, SOT-416	Auf Lager27.570
SDTC114EET1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75, SOT-416	Auf Lager21.942
SDTC114YET1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75, SOT-416	Auf Lager85.230
SDTC124EET1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75, SOT-416	Auf Lager2.376
SDTC144EET1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75, SOT-416	Auf Lager7.434
SMMUN2111LT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 246mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager256.092
SMMUN2111LT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 246mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager7.902
SMMUN2113LT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 246mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager78.594

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