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RN1421TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 300MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager2.484
RN1422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 300MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager2.592
RN1423TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 300MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager7.632
RN1424TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 300MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager2.880
RN1425TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 470 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 300MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager4.068
RN1426TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 300MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager5.994
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 300MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager3.330
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 5.6 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 30MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager2.196
RN1442ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 30MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager3.454
RN1444ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 30MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager3.762
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager3.114
RN2101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager7.326
RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager5.454
RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager6.966
RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager4.662
RN2102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager7.848
RN2103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager98.712
RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager3.690
RN2103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOHM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.806
RN2103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VESM	Auf Lager8.298
RN2103(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager5.490
RN2104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager3.978
RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager2.880
RN2104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOHM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.598
RN2104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VESM	Auf Lager2.808
RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager3.204
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager80.358
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager5.418
RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KOHM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.228
RN2105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VESM	Auf Lager3.348

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