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DTD113EKT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager4.716
DTD113ZCHZGT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager259.518
DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager26.616
DTD113ZKT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager76.704
DTD113ZUT106 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager8.730
DTD114ECHZGT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager8.928
DTD114ECT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager26.868
DTD114EKT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager91.422
DTD114ESTP Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Formed Leads Lieferantengerätepaket: SPT	Auf Lager2.100
DTD114GCT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager6.894
DTD114GKT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager3.348
DTD122JKT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager5.058
DTD123ECT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager27.690
DTD123EKT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager6.228
DTD123TCHZGT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt 500MA/40V DIGITAL TRANSISTOR (WI Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager28.440
DTD123TCT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager4.716
DTD123TKT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager217.104
DTD123TSTP Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Formed Leads Lieferantengerätepaket: SPT	Auf Lager8.478
DTD123YCHZGT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt DTD123YCHZG IS THE HIGH RELIABIL Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.938
DTD123YCT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager92.754
DTD123YKT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager136.410
DTD133HKT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 3.3 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager8.928
DTD143ECHZGT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager22.782
DTD143ECT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager5.976
DTD143ECT216 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager5.328
DTD143EKFRAT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt DTD143EKFRA IS A TRANSISTOR WITH Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager21.696
DTD143EKT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager8.820
DTD143TKT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager4.590
DTD513ZETL Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 260MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: EMT3	Auf Lager6.300
DTD513ZMGT2L Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V), Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 260MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VMT3	Auf Lager4.482

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