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DTD114GKT146

DTD114GKT146

Nur als Referenz

Teilenummer DTD114GKT146
PNEDA Teilenummer DTD114GKT146
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 3.348
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DTD114GKT146 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDTD114GKT146
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DTD114GKT146, DTD114GKT146 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 288,91 KB)
PDFDTD114GKT146 Datenblatt Cover
DTD114GKT146 Datenblatt Seite 2 DTD114GKT146 Datenblatt Seite 3 DTD114GKT146 Datenblatt Seite 4 DTD114GKT146 Datenblatt Seite 5

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DTD114GKT146 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)-
Widerstand - Emitterbasis (R2)10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang200MHz
Leistung - max200mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSMT3

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80mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

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Leistung - max

100mW

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Surface Mount

Paket / Fall

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Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

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Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

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Leistung - max

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

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Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

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Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

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Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

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