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Seite 574/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
TIP105 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 8A TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager4.842
TIP105 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager6.840
TIP105 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager21.012
TIP105TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager24.624
TIP106 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 8A TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager4.446
TIP106 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.870
TIP106G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager13.380
TIP107 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager4.410
TIP107 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager96.870
TIP107G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager117.804
TIP107TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager4.770
TIP110 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 2A TO-220AB Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager6.408
TIP110 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 2A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.790
TIP110 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 2A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.282
TIP110-BP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 2A TO-220AB Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager19.404
TIP110G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 2A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager22.986
TIP110TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 2A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.476
TIP111 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager2.070
TIP111 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.544
TIP111-BP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.424
TIP111G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager21.900
TIP111TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager4.248
TIP112 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager5.850
TIP112 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager6.426
TIP112 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager25.842
TIP112-BP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220AB Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 50W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager14.664
TIP112G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.892
TIP112 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager5.958
TIP112TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager16.860
TIP115 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 2A TO-220AB Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager8.802

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