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TIP111

TIP111

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Teilenummer TIP111
PNEDA Teilenummer TIP111_105
Beschreibung TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 2.070
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TIP111 Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTIP111
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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TIP111 Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie*
TransistortypNPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 8mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce1000 @ 1A, 4V
Leistung - max50W
Frequenz - Übergang25MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 1V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

160V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 No Tab

Lieferantengerätepaket

FLP

NJL1302DG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP + Diode (Isolated)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

260V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 1A, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 5A, 5V

Leistung - max

200W

Frequenz - Übergang

30MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-5

Lieferantengerätepaket

TO-264

MJF18008G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 900mA, 4.5V

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

14 @ 1A, 5V

Leistung - max

45W

Frequenz - Übergang

13MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

BC857W,135

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

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