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Seite 428/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
JANS2N4150 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 70V 10A TO-5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/394 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager2.412
JANS2N5004 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 5A TO-59 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/534 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Stud Mount Paket / Fall: TO-210AA, TO-59-4, Stud Lieferantengerätepaket: TO-59	Auf Lager3.798
JANS2N5339U3 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 5A SMD5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/560 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-SMD Lieferantengerätepaket: SMD5	Auf Lager226
JANS2N5415 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 200V 1A TO-5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/485 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager3.564
JANS2N5415UA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 200V 1A TO-5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8
JANS2N5416 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 1A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.732
JANS2N5416U4 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/485 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: U4	Auf Lager5.768
JANS2N5416UA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/485 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UA	Auf Lager7.380
JANS2N5665 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 5A TO-66 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/455 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Leistung - max: 2.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-213AA, TO-66-2 Lieferantengerätepaket: TO-66 (TO-213AA)	Auf Lager2.340
JANS2N5666U3 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 200V 5A TO-66 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/455 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: U3	Auf Lager8.298
JANS2N5667 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 5A TO-5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/455 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager2.862
JANS2N6193 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 5A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/561 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager6.768
JANS2N6193U3 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 5A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.096
JANS2N6249T1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 200V 10A TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/510 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V Leistung - max: 6W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Lieferantengerätepaket: TO-254AA	Auf Lager6.120
JANS2N6250T1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 275V 10A TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/510 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 275V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V Leistung - max: 6W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Lieferantengerätepaket: TO-254AA	Auf Lager2.034
JANS2N6251T1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 350V 10A TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/510 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V Leistung - max: 6W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Lieferantengerätepaket: TO-254AA	Auf Lager7.848
JANS2N7372 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 5A TO254 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/612 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Leistung - max: 4W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Lieferantengerätepaket: TO-254AA	Auf Lager7.380
JANSD2N2907A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single SMALL-SIGNAL BJT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/291 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager2.484
JANSF2N2221AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager3.672
JANSF2N2222A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single SMALL-SIGNAL BJT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager6.084
JANSF2N2222AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager2.466
JANSF2N2222AUA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 650mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UA	Auf Lager5.850
JANSF2N2484 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single SMALL-SIGNAL BJT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/376 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager2.700
JANSH2N2222A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager3.544
JANSR2N2221AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single RH SMALL-SIGNAL BJT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager6.030
JANSR2N2222A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager8.046
JANSR2N2222AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single RH SMALL-SIGNAL BJT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager7.200
JANSR2N2369AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V SMD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/317 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager5.363
JANSR2N2484UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single BJTS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.094
JANSR2N2907AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single BJTS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/291 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager2.502

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