JANS2N6251T1
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| Teilenummer | JANS2N6251T1 |
| PNEDA Teilenummer | JANS2N6251T1 |
| Beschreibung | TRANS NPN 350V 10A TO-3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.848 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANS2N6251T1 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANS2N6251T1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JANS2N6251T1 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/510 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 350V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.67A, 10A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 6 @ 10A, 3V |
| Leistung - max | 6W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-254AA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 600mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 2V Leistung - max 800mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V Leistung - max 1.56W Frequenz - Übergang 10MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 150mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 500mA, 5V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 60MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126-3 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 150mA, 10V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 160MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-85 Lieferantengerätepaket SMini3-F2-B |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SuperSOT-3 |
