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SBC847BDW1T3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 380mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager2.484
SBC847BPDW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 380mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager150.732
SBC847BPDW1T3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 380mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager83.814
SBC847BPDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 357mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager30.498
SBC847CDW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 380mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager49.134
SBC847CDXV6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager8.496
SBC856BDW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Leistung - max: 380mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager175.416
SBC856BDW1T3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Leistung - max: 380mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager3.978
SBC857BDW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Leistung - max: 380mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager588.900
SBC857CDW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 380mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager214.794
SCH2202-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 15V 0.6A 6SCH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: 330MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-SCH	Auf Lager8.982
SG2003J Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-CDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-CDIP	Auf Lager5.112
SG2003J-883B Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-CDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-CDIP	Auf Lager5.922
SG2003J-JAN Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-CDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-CDIP	Auf Lager6.444
SG2013J-883B Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 16-CDIP	Auf Lager28.074
SG2023J-883B Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16JDIP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 95V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 16-CDIP	Auf Lager51
SG2023J-DESC Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16DIP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 95V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-CDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-CDIP	Auf Lager8.784
SG2803J-883B Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 18-CDIP	Auf Lager3.598
SG2803J-DESC Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 18-CDIP	Auf Lager6.282
SG2823J Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 95V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 18-CDIP	Auf Lager5.796
SG2823J-883B Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 95V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 18-CDIP	Auf Lager7.884
SG2823J-DESC Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 95V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 18-CDIP	Auf Lager2.520
SHN1B01FDW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 380mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SC-74	Auf Lager5.364
SLA4030 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 100V 4A 12SIP Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V Leistung - max: 5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP w/fin	Auf Lager5.364
SLA4031 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 120V 4A 12SIP Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Leistung - max: 5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP w/fin	Auf Lager2.502
SLA4036 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 120V 2A 12SIP Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Lieferantengerätepaket: 15-ZIP	Auf Lager8.154
SLA4041 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 200V 3A 12SIP Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1.5A, 4V Leistung - max: 5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP w/fin	Auf Lager6.804
SLA4051 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 9NPN DARL 120V 2A 21SIP Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: 9 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 21-SSIP Lieferantengerätepaket: 21-SIP w/fin	Auf Lager2.952
SLA4052 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 9NPN DARL 120V 3A 21SIP Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: 9 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 21-SSIP Lieferantengerätepaket: 21-SIP w/fin	Auf Lager5.706
SLA4060 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 120V 5A 12SIP Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V Leistung - max: 5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP w/fin	Auf Lager6.156

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