SG2823J-883B
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| Teilenummer | SG2823J-883B |
| PNEDA Teilenummer | SG2823J-883B |
| Beschreibung | TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.884 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SG2823J-883B Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SG2823J-883B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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SG2823J-883B Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | 8 NPN Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 95V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| Leistung - max | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 18-CDIP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/421 Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Leistung - max 600mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 6-SMD |
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