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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SA1931,NSEIKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 5A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager8.514
2SA1931,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 5A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager4.284
2SA1931,SINFQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 5A 50V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager4.086
2SA1943N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 230V 15A TO-3PN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P(N)	Auf Lager8.208
2SA1943-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 230V 15A TO-3PL Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3PL Lieferantengerätepaket: TO-3P(L)	Auf Lager6.606
2SA1943OTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 17A TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager16.920
2SA1943RTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 17A TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager7.788
2SA1952TLQ Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 5A SOT-428 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: CPT3	Auf Lager22.422
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 12V 0.5A USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager3.762
2SA1954BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 12V 0.5A USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager6.912
2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 12V 0.4A VESM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager90.138
2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 12V 0.4A VESM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VESM	Auf Lager91.572
2SA1962-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 230V 15A TO-3PN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Leistung - max: 130W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P(N)	Auf Lager6.516
2SA1962OTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 17A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Leistung - max: 130W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager69.708
2SA1962RTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 17A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Leistung - max: 130W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager7.020
2SA1972,F(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 35MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager6.192
2SA1972,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 35MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager2.268
2SA1980-G-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 6V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.888
2SA1980-L-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 2A, 6V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager8.442
2SA1980-O-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2A, 6V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager8.514
2SA1980-Y-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2A, 6V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager5.454
2SA2007E Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 12A TO220FN Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 320 @ 2A, 2V Leistung - max: 25W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220FN	Auf Lager6.984
2SA20090SL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 120V 0.02A SMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager29.706
2SA201000L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 15V 2.5A MINI 3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 50mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: Mini3-G1	Auf Lager26.172
2SA2012-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 30V 5A SOT89-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 3.5W Frequenz - Übergang: 420MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager8.406
2SA2013-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 4A SOT89-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 3.5W Frequenz - Übergang: 400MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager34.146
2SA2016-TD-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 7A SOT89-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 3.5W Frequenz - Übergang: 330MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PCP	Auf Lager25.716
2SA2018TL Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 12V 0.5A SOT-416 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 260MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: EMT3	Auf Lager2.448
2SA202800L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 20V 1A S-MINI 3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 170MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager25.116
2SA2028G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 20V 1A SMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 170MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager25.308

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