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2SA2018TL

2SA2018TL

Nur als Referenz

Teilenummer 2SA2018TL
PNEDA Teilenummer 2SA2018TL
Beschreibung TRANS PNP 12V 0.5A SOT-416
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 2.448
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SA2018TL Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SA2018TL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2SA2018TL, 2SA2018TL Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 1.677,5 KB)
PDF2SA2030T2L Datenblatt Cover
2SA2030T2L Datenblatt Seite 2 2SA2030T2L Datenblatt Seite 3 2SA2030T2L Datenblatt Seite 4 2SA2030T2L Datenblatt Seite 5 2SA2030T2L Datenblatt Seite 6 2SA2030T2L Datenblatt Seite 7 2SA2030T2L Datenblatt Seite 8 2SA2030T2L Datenblatt Seite 9 2SA2030T2L Datenblatt Seite 10 2SA2030T2L Datenblatt Seite 11

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2SA2018TL Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce270 @ 10mA, 2V
Leistung - max150mW
Frequenz - Übergang260MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketEMT3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

310mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

TIP50G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

BD179

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Leistung - max

30W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-225AA

CP647-PMD19K100-WS

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.8V @ 60mA, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

800 @ 15A, 3V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

2SC4604,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 75mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Lieferantengerätepaket

TO-92MOD

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