Transistoren

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IRG4BC30K-STRRP Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 28A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 360µJ (on), 510µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 26ns/130ns Testbedingung: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager6.390
IRG4BC30S Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 34A 100W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/540ns Testbedingung: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.942
IRG4BC30SPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 34A 100W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/540ns Testbedingung: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager16.578
IRG4BC30S-S Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 34A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/540ns Testbedingung: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager3.852
IRG4BC30S-SPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 34A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/540ns Testbedingung: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager5.112
IRG4BC30S-STRLP Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 34A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/540ns Testbedingung: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager3.078
IRG4BC30U Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/78ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.130
IRG4BC30UDPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 380µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/91ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 42ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.268
IRG4BC30UPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/78ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager22.632
IRG4BC30U-S Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/78ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager7.830
IRG4BC30U-SPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/78ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager3.598
IRG4BC30U-STRRP Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/78ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager3.744
IRG4BC30W Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 130µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/99ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.826
IRG4BC30WPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 130µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/99ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager19.944
IRG4BC30W-S Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 130µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/99ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager2.916
IRG4BC30W-SPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 130µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/99ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager2.592
IRG4BC30W-STRL Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 130µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/99ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager7.686
IRG4BC30W-STRLP Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 130µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/99ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager8.046
IRG4BC30WSTRR Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager3.096
IRG4BC30W-STRRP Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 130µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/99ns Testbedingung: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager5.436
IRG4BC40FPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 49A 160W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 49A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 196A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 370µJ (on), 1.81mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 26ns/240ns Testbedingung: 480V, 27A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager30.222
IRG4BC40K Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 42A 160W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 84A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 620µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/140ns Testbedingung: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.974
IRG4BC40KPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 42A 160W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 84A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 620µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/140ns Testbedingung: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.664
IRG4BC40SPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 160W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 450µJ (on), 6.5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/650ns Testbedingung: 480V, 31A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager17.352
IRG4BC40U Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 160W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 320µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 34ns/110ns Testbedingung: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.218
IRG4BC40UPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 160W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 320µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 34ns/110ns Testbedingung: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager15.228
IRG4BC40W Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 160W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 110µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/100ns Testbedingung: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.130
IRG4BC40W-LPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 160W TO262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 110µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/100ns Testbedingung: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager6.480
IRG4BC40WPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 160W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 110µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/100ns Testbedingung: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager4.266
IRG4BC40W-S Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 160W D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 110µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/100ns Testbedingung: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager2.124

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