IRG4BC30W-STRRP
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| Teilenummer | IRG4BC30W-STRRP |
| PNEDA Teilenummer | IRG4BC30W-STRRP |
| Beschreibung | IGBT 600V 23A 100W D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4BC30W-STRRP Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4BC30W-STRRP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG4BC30W-STRRP Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 23A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 92A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 100W |
| Schaltenergie | 130µJ (on), 130µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 51nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/99ns |
| Testbedingung | 480V, 12A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 35A Leistung - max 306W Schaltenergie 300µJ (on), 630µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/105ns Testbedingung 400V, 35A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max 208W Schaltenergie 370µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/90ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.5V @ 10V, 5A Leistung - max 50W Schaltenergie 190µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/30ns Testbedingung 600V, 5A, 10Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A Leistung - max 350W Schaltenergie 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/190ns Testbedingung 600V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 170ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
