Transistoren

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STE48NM60 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: ISOTOP	Auf Lager2.250
STE53NC50 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: ISOTOP	Auf Lager8.910
STE60N105DK5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single ISOTOP PARALL. Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DK5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1050V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6675pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 680W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.752
STE70NM50 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: ISOTOP	Auf Lager5.490
STE70NM60 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP® Paket / Fall: ISOTOP	Auf Lager5.148
STE88N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 88A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8825pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 494W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: ISOTOP Paket / Fall: SOT-227-4	Auf Lager4.590
STF100N10F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 100V 45A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4369pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager2.034
STF100N6F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 46A F7 TO220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1980pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.752
STF10LN80K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager13.182
STF10N105K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1050V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5nC @ 10V Vgs (Max): 30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager16.380
STF10N60DM2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DM2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 529pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager15.576
STF10N60M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager27.024
STF10N62K3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 620V 8.4A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 620V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.256
STF10N65K3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager19.968
STF10N80K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager17.148
STF10N95K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 950V 8A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 950V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.120
STF10NK50Z STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1219pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.372
STF10NM50N STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 7.0A TO220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager21.264
STF10NM60N STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager18.384
STF10NM60ND STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: FDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager11.076
STF10NM65N STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager2.340
STF10P6F6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 10A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 48V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 20W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager20.256
STF110N10F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5117pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.050
STF11N50M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager21.276
STF11N52K3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 525V 10A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 525V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager2.214
STF11N60DM2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DM2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 614pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager18.006
STF11N60M2-EP STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2-EP FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.022
STF11N65K3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 11.0A TO220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.600
STF11N65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.532
STF11N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 650V 9A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 644pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.236

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