STE48NM60
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| Teilenummer | STE48NM60 |
| PNEDA Teilenummer | STE48NM60 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.250 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STE48NM60 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STE48NM60 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STE48NM60 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 48A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 22.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 450W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
| Paket / Fall | ISOTOP |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 8.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2075pF @ 75V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
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