Transistoren

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STB40N60M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager16.194
STB40NF10LT4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 4.5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager13.212
STB40NF10T4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1780pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.834
STB40NF20 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 160W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.480
STB40NS15T4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MESH OVERLAY™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.654
STB41N40DM6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V Hersteller: STMicroelectronics Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (D²Pak) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.484
STB42N60M2-EP STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2-EP FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.490
STB42N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4650pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager23.652
STB43N60DM2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 600V 34A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DM2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.142
STB43N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 42A Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager25.014
STB45N30M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53 Hersteller: STMicroelectronics Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.812
STB45N40DM2AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 38A Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager26.646
STB45N50DM2AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 35A Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager13.584
STB45N60DM2AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 34A Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.514
STB45N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 650V 35A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3375pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 210W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.824
STB45NF06 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 980pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.676
STB45NF06T4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 980pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Auf Lager8.064
STB46N30M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4240pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager21.084
STB46NF30 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager14.220
STB47N50DM6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V Hersteller: STMicroelectronics Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.876
STB47N60DM6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V Hersteller: STMicroelectronics Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.082
STB4N62K3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 620V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.038
STB4NK60Z-1 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager17.940
STB4NK60ZT4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.490
STB50N25M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.070
STB50NE10T4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.894
STB50NF25 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2670pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 160W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.876
STB55NF03LT4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN 55A 30V TO260 Hersteller: STMicroelectronics Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.034
STB55NF06LT4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 95W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager52.380
STB55NF06T4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.528

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