STB40N60M2
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| Teilenummer | STB40N60M2 |
| PNEDA Teilenummer | STB40N60M2 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.194 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STB40N60M2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STB40N60M2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STB40N60M2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ II Plus |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 34A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 350mW (Ta) Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 8V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 907pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 660mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type F) Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.2mOhm @ 13.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 10-PolarPAK® (L) Paket / Fall 10-PolarPAK® (L) |
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAK Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller Microchip Technology Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 250mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-92-3 Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
