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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2N5415 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 200V 1A TO-39 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 15MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager6.046
2N5415 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP 10W 200V 1A TRANSISTOR Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-39 Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager1.646
2N5415 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.006
2N5415S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.532
2N5415UA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.354
2N5416 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 1A TO-39 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 15MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager7.290
2N5416 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.316
2N5416 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 15MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager4.860
2N5416UA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.510
2N5416UA/TR Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single POWER BJT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UA	Auf Lager2.088
2N5427 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 7A TO-66 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 7A, 80V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-213AA, TO-66-2 Lieferantengerätepaket: TO-66	Auf Lager8.694
2N5428 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.284
2N5429 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.770
2N5430 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single SILICON NPN TRANSISTORS Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-213AA, TO-66-2 Lieferantengerätepaket: TO-66	Auf Lager4.878
2N5430 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.844
2N5434 MICROSS/On Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single DIE TRANS SMALL SIGNAL Hersteller: MICROSS/On Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.402
2N5550 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.416
2N5550-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN BIPOLAR TO-92 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager8.604
2N5550BU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.724
2N5550_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.986
2N5550G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.598
2N5550_J24Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.352
2N5550RLRA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.780
2N5550RLRAG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.676
2N5550RLRP ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.696
2N5550RLRPG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.780
2N5550TA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager128.394
2N5550TAR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager116.868
2N5550TF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.734
2N5550TFR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.340

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