2N5427
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| Teilenummer | 2N5427 |
| PNEDA Teilenummer | 2N5427 |
| Beschreibung | TRANS PNP 80V 7A TO-66 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.694 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N5427 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N5427 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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2N5427 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 7A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 7A, 80V |
| Leistung - max | 40W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-213AA, TO-66-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-66 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 225 @ 10mA, 5V Leistung - max 360mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
