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Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 1532/2164
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Teilenummer
Beschreibung
Auf Lager
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IXTH240N15X4

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 150V 240A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 940W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager7.848
IXTH24N50
IXTH24N50

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: MegaMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager6.138
IXTH24N50L
IXTH24N50L

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 20V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 20V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager8.064
IXTH24N65X2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 390W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager8.010
IXTH24P20
IXTH24P20

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager7.380
IXTH250N075T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 75V 250A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager6.462
IXTH260N055T2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 260A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchT2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 260A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 480W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager3.798
IXTH26N60P
IXTH26N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 26A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 460W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager3.546
IXTH26P20P
IXTH26P20P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 200V 26A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarP™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2740pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager8.478
IXTH270N04T4

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 270A

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchT4™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 270A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±15V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9140pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 375W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager8.136
IXTH280N055T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 280A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9700pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager3.562
IXTH2N150L
IXTH2N150L

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: Linear L2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 1A, 20V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 8.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 20V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 290W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager6.948
IXTH2N170D2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tj)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3650pF @ 10V
  • FET-Funktion: Depletion Mode
  • Verlustleistung (max.): 568W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager2.052
IXTH2N300P3HV

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 3000V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 520W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247HV
  • Paket / Fall: TO-247-3 Variant
Auf Lager4.950
IXTH2R4N120P

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: Polar™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1207pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 125W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager5.508
IXTH300N04T2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 300A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchT2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10700pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 480W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager8.838
IXTH30N25
IXTH30N25

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 250V 30A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 200W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager4.662
IXTH30N50
IXTH30N50

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: MegaMOS™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5680pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 360W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager8.118
IXTH30N50L
IXTH30N50L

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager4.014
IXTH30N50L2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: Linear L2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8100pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager5.148
IXTH30N50P
IXTH30N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 460W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager8.388
IXTH30N60L2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: Linear L2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10700pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 540W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager7.380
IXTH30N60P
IXTH30N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5050pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 540W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager6.540
IXTH32N65X
IXTH32N65X

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 650V 32A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2205pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 500W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager5.346
IXTH32P20T
IXTH32P20T

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 200V 32A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchP™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±15V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager3.526
IXTH340N04T4

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 340A

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchT4™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 340A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±15V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 480W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager7.524
IXTH34N65X2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 650V 34A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3120pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 540W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager3.276
IXTH360N055T2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 360A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchT2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 360A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 935W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager3.942
IXTH36N20T
IXTH36N20T

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 200V 36A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager2.286
IXTH36N50P
IXTH36N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 36A TO-247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 540W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247 (IXTH)
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager2.934