IXTH2N300P3HV
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| Teilenummer | IXTH2N300P3HV |
| PNEDA Teilenummer | IXTH2N300P3HV |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.950 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXTH2N300P3HV Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTH2N300P3HV |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTH2N300P3HV Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 3000V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 520W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247HV |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
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