Transistoren

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IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro6™(SOT23-6) Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager237.978
IRLMS4502TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1820pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro6™(TSOP-6) Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager8.442
IRLMS5703TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro6™(SOT23-6) Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager4.950
IRLMS5703TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro6™(TSOP-6) Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager2.142
IRLMS6702TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro6™(SOT23-6) Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager7.560
IRLMS6702TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro6™(TSOP-6) Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager27.468
IRLMS6802TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1079pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro6™(SOT23-6) Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager7.146
IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1079pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro6™(TSOP-6) Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager27.108
IRLP3034PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10315pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 341W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AC Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager9.540
IRLR014 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager21.450
IRLR014NPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.644
IRLR014NTR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.274
IRLR014NTRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.082
IRLR014NTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.838
IRLR014NTRR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 10A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.956
IRLR014PBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager20.088
IRLR014TR Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.238
IRLR014TRL Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.142
IRLR014TRLPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.600
IRLR014TRPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.352
IRLR014TRR Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.806
IRLR024 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.614
IRLR024NPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.506
IRLR024NTRL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.902
IRLR024NTRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.480
IRLR024NTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager29.418
IRLR024NTRR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.068
IRLR024NTRRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.100
IRLR024PBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager22.320
IRLR024TR Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.978

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