IRLMS6802TRPBF
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| Teilenummer | IRLMS6802TRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRLMS6802TRPBF |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 27.108 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRLMS6802TRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRLMS6802TRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRLMS6802TRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1079pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Micro6™(TSOP-6) |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3110pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Infineon Technologies Serie FETKY™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1931pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 35A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 45W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
