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IRF8010STRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3830pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 260W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.186
IRF8010STRRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3830pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 260W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.946
IRF8113 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2910pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.212
IRF8113GPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2910pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.858
IRF8113GTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2910pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.514
IRF8113PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2910pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.346
IRF8113TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2910pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.110
IRF8113TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2910pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.698
IRF820 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.886
IRF820 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.748
IRF820A Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.148
IRF820AL Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.676
IRF820ALPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.994
IRF820APBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager23.688
IRF820AS Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.544
IRF820ASPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager13.644
IRF820ASTRL Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.508
IRF820ASTRR Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.688
IRF820L Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.392
IRF820LPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.676
IRF820PBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.832
IRF820S Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.712
IRF820SPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager15.876
IRF820STRL Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.860
IRF820STRLPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager16.392
IRF820STRR Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.978
IRF820STRRPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.884
IRF8252PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5305pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.696
IRF8252TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5305pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.736
IRF8252TRPBF-1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 25A Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5305pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.772

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