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IRF820ALPBF

IRF820ALPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF820ALPBF
PNEDA Teilenummer IRF820ALPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
Hersteller Vishay Siliconix
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IRF820ALPBF Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF820ALPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRF820ALPBF, IRF820ALPBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 214,24 KB)
PDFIRF820ASTRR Datenblatt Cover
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IRF820ALPBF Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds340pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)50W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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IRL530STRL

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 9A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK8A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

AUXTLR3110Z

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

SI7155DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen III

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12900pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

SIUD412ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.71nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 0806

Paket / Fall

PowerPAK® 0806

Kürzlich verkauft

MT41J128M16JT-093:K

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Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

B3S-1002P

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SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

0466005.NRHF

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Littelfuse

FUSE BOARD MNT 5A 32VAC/VDC 1206

MAX232EWE+

MAX232EWE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

ADA4805-2ARMZ-R7

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Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

PS2501L-4-A

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CEL

OPTOISOLTR 5KV 4CH TRANS 16-SMD

KSZ9031RNXIC

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Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN

74LVC02AD,118

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Nexperia

IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SO

IS43TR16128D-125KBLI

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B

PI3L301DAEX

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Diodes Incorporated

IC MUX/DEMUX 2:1 8 OHM 48TSSOP

TCLT1003

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OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SOP

PIC18F2550-I/SO

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IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28SOIC